? ? ? 晶圓測(cè)試是對(duì)晶圓上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，測(cè)試其電氣特性。測(cè)試時(shí)，晶圓被固定在探針臺(tái)的托盤(pán)上，探針與芯片的每一個(gè)PAD點(diǎn)相接觸，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片進(jìn)行電性和功能測(cè)試并記錄下結(jié)果，區(qū)分良品和不良品。具備12吋、8吋、6吋、5吋和4吋晶圓測(cè)試能力，包含17nm、22nm、28nm等先進(jìn)制程以及28nm以上晶圓的全部成熟制程。能夠測(cè)試指紋識(shí)別、消防安全、藍(lán)牙、電源管理、MCU、濾波器、光通信等多種應(yīng)用類(lèi)型。

晶圓測(cè)試流程：

測(cè)試設(shè)備：V93K、J750HD、D10、NI STS T4、S100、S50、STS8200、T862、TR6850S、TR6836S、Chroma3360D/3360P/3380、V50、TQT500、JC5600、SC312、T5503/5371、DST1000
探針臺(tái)：UF3000、UF200SA
晶圓測(cè)試 MAPPING圖分BIN 定義功能
光電芯片，CMOS SENSOR測(cè)試能力